DXTN3C60PS-13

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 270 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 8 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 140 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Серия DXTN3C60