Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SB1302S-TD-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PCP-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 20 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 250 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 8 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 320 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SB1302
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару