BUJ100,412

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-92-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) Неизвестно

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.24 V

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно