CXT5551 TR

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-89

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 75 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 300 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия CXT5