Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SC3646S-TD-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PCP-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.1 V
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SC3646
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару