DRDN005W-7

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 500 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия DRDN005