MMDT4401Q-7-F

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 V

Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MMDT4401Q