HN1C01FE-Y,LF

Технология Si

Вид монтажа Неизвестно

Упаковка / блок Неизвестно

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 150 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия HN1C01