BD810G

Технология Неизвестно

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-220-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.1 V

Максимальный постоянный ток коллектора 10 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 1.5 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия BD810