Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / ZXTP2012GTA
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-223-4
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 195 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 5.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия ZXTP2012
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару