2SD1618T-TD-E

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-243-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 80 mV

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2SD1618