Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SC5566-TD-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PCP-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V, 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V, 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V, 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 105 V, 85 V
Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 360 MHz, 400 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SC5566
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару