NSV1C200MZ4T1G

Технология SMD/SMT

Вид монтажа SOT-223-4

Упаковка / блок PNP

Полярность транзистора Single

Конфигурация - 100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 140 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 7 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 0.22 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 A

Максимальный постоянный ток коллектора 2 W

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия NSS1C200