Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SA2012-TD-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-89-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 30 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 140 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SA2012
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару