Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / BSS63LT1G
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 110 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 250 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 95 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия BSS63L
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару