2N5416U4

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SMD-0.22-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно