HN1C03F-B(TE85L,F)

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-26-6

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 25 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 42 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 300 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия HN1C03