IMX9T110

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.18 V

Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия IMX9