BCY58-VIII

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-18

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V

Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно