2N3419

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-5-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 125 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 8 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно