Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / MJD32C-TP
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 1.2 V
Максимальный постоянный ток коллектора - 3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 3 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MJD32C
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
