2N5817

Технология Through Hole

Вид монтажа TO-92-3

Упаковка / блок PNP

Полярность транзистора Неизвестно

Конфигурация 40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 5 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) Неизвестно

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 A

Максимальный постоянный ток коллектора 625 mW

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2N5817