MMBT5401-G

Серия MMBT5401

Тип транзистора Bipolar Power

Технология Si

Полярность транзистора PNP

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 50

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Непрерывный коллекторный ток - 0.6 A

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Конфигурация Single

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23

Квалификация Неизвестно

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel