Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Флеш-память NAND / TH58NYG2S3HBAI4
Есть ROHS
Описание:
Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Характеристики
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TFBGA-63
Серия Неизвестно
Размер памяти 4 Gbit
Тип интерфейса Parallel
Организация 512 M x 8
Тип синхронизации Synchronous
Ширина шины данных 8 bit
Напряжение питания - мин. 1.7 V
Напряжение питания - макс. 1.95 V
Напряжение питания - макс. 30 mA
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
