Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / ИС памяти / DRAM / W987D2HBJX7E TR
Нет ROHS
Описание:
DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
Характеристики
Тип SDRAM Mobile - LPSDR
Ширина шины данных 32 bit
Организация 4 M x 32
Упаковка / блок VFBGA-90
Размер памяти 128 Mbit
Максимальная тактовая частота 133 MHz
Время доступа 8 ns
Напряжение питания - макс. 1.95 V
Напряжение питания - мин. 1.7 V
Напряжение питания - макс. 70 mA
Минимальная рабочая температура - 25 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Серия W987D2HB
Квалификация Неизвестно
Упаковка Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару