Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / DRAM / AS4C512M8D3LB-10BINTR
Есть ROHS
Описание:
DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
Характеристики
Тип SDRAM - DDR3L
Ширина шины данных 8 bit
Организация 512 M x 8
Упаковка / блок FBGA-78
Размер памяти 4 Gbit
Максимальная тактовая частота 933 MHz
Время доступа Неизвестно
Напряжение питания - макс. 1.45 V
Напряжение питания - мин. 1.283 V
Напряжение питания - макс. 60 mA
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 95 C
Серия AS4C512M8D3LB-10
Квалификация Неизвестно
Упаковка Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
