Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / BSM080D12P2C008
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Характеристики
Продукт Power Semiconductor Modules
Тип SiC Power MOSFET
Vf - прямое напряжение Неизвестно
Vr - обратное напряжение Неизвестно
Vgs - напряжение затвор-исток - 6 V, 22 V
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия BSMx
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
