Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / FF8MR12W2M1B11BOMA1
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
Характеристики
Продукт Power MOSFET Modules
Тип EasyDUAL Module
Vf - прямое напряжение 4.6 V
Vr - обратное напряжение Неизвестно
Vgs - напряжение затвор-исток - 10 V, 20 V
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
