Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / MII100-12A3
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули IGBT MODULE 1200V, 100A
Характеристики
Продукт Power Semiconductor Modules
Тип IGBT Module
Vf - прямое напряжение 2.2 V
Vr - обратное напряжение 1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток Неизвестно
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Y4
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Серия MII100
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
