Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / BSM180C12P2E202
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Характеристики
Продукт Power Semiconductor Modules
Тип SiC Power Module
Vf - прямое напряжение 1.6 V at 180 A
Vr - обратное напряжение Неизвестно
Vgs - напряжение затвор-исток - 6 V, 22 V
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия BSMx
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
