Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / M5060TB1200
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули 60A 1200V 3PH BRDG MODULE POWER
Характеристики
Продукт Diode Power Modules
Тип Discrete Semiconductor Module
Vf - прямое напряжение 1.35 V
Vr - обратное напряжение 480 V
Vgs - напряжение затвор-исток Неизвестно
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок M50
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Серия M50 Diode Series
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
