Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / CAS325M12HM2
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули Half-Bridge Module 1.2kV, 325A Hi-Perf
Характеристики
Продукт Power MOSFET Modules
Тип H-Bridge MOSFET Module
Vf - прямое напряжение 2.5 V
Vr - обратное напряжение Неизвестно
Vgs - напряжение затвор-исток - 5 V, 23 V
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
