Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Дискретные полупроводниковые модули / CAS300M12BM2
Есть ROHS
Описание:
Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module
Характеристики
Продукт Power Semiconductor Modules
Тип H-Bridge MOSFET Module
Vf - прямое напряжение -
Vr - обратное напряжение -
Vgs - напряжение затвор-исток Неизвестно
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Module
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура -
Серия Неизвестно
Упаковка Bulk
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
