Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / ИС для усилителей / Транскондуктивные усилители / AU5517DR2G
Характеристики
Серия NE5517
Количество каналов 2 Channel
GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропус 2 MHz
SR - скорость нарастания выходного напряжения 50 V/us
Выходной ток на канал 650 uA
Ib - Входной ток смещения 5 uA
Vos - Входное напряжение смещения нуля 5 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5400 uS
Напряжение питания - макс. 44 V
Напряжение питания - мин. 4 V
Рабочий ток источника питания 2.6 mA
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 125 C
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-16
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару