Главная / Каталог компонентов / Оптоэлектроника / Оптические детекторы и датчики / Фототранзисторы / BPW17N
Есть ROHS
Описание:
Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm
Характеристики
Продукт Phototransistors
Упаковка / блок T-3/4
Вид монтажа Through Hole
Пиковая длина волны 825 nm
Рабочее напряжение питания Неизвестно
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Темновой ток 200 nA
Время нарастания Неизвестно
Время спада Неизвестно
Pd - рассеивание мощности 100 mW
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 100 C
Серия Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару