WP3DP3BT

Продукт Phototransistors

Упаковка / блок T-1

Вид монтажа Through Hole

Пиковая длина волны 940 nm

Рабочее напряжение питания Неизвестно

Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 0.2 mA

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V

Темновой ток 100 nA

Время нарастания 15 us

Время спада 15 us

Pd - рассеивание мощности 100 mW

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Серия Неизвестно