Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [1]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

AFGB30T65SQDN	ON Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 A	Добавить в запрос
AFGB40T65SQDN	ON Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT	Добавить в запрос
AFGHL40T65SPD	ON Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65	Добавить в запрос
AFGHL50T65SQDC	ON Semiconductor	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD	Добавить в запрос
AIGB15N65F5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB15N65H5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB30N65F5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB30N65H5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB40N65F5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB40N65H5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB50N65F5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGB50N65H5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIGW40N65F5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIGW40N65H5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIGW50N65F5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIGW50N65H5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD03N60RFATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD04N60RATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD04N60RFATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD06N60RATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD06N60RFATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD10N60RATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD10N60RFATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIHD15N60RATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос